独家：三星密会英伟达 全球AI芯片大战再升级【硅谷前线报道】全球半导体行业正迎来新一轮洗牌！记者独家获悉，三星电子设备解决方案(DS)部门高层近日秘密造访英伟达硅谷总部，双方就12层堆叠HBM3E内存供应展开关键谈判。这场可能改写AI芯片格局的商业会谈，距离上次会面还不到两个月时间。
快科技7月1日消息，据报道，三星正在与NVIDIA洽谈12层堆叠HBM3E内存的供应事宜，旨在为NVIDIA的GB300 Blackwell Ultra提供支持。
知情人士透露，三星此次派出了核心团队，重点展示了其基于第四代10纳米级DRAM(1a)技术的12层HBM3E产品。值得注意的是，该技术采用了改进的基底和逻辑晶粒设计，性能指标已全面对标行业领先水平。
有内部人士透露，三星强调其12层HBM3E基于第四代10纳米级DRAM（1a），搭配改进的基底和逻辑晶粒，性能不逊于竞争对手产品。
业内人士分析，三星此次来势汹汹，背后有着充分的底气。就在不久前，三星刚刚拿下AMD MI350X系列的大单，其12层HBM3E在实际应用中的出色表现，彻底打消了市场对其技术实力的质疑。
三星最近宣布为AMD的MI350X系列供应12层HBM3E，该系列的性能表现优于预期，市场对AMD的期望日益增加，也消除了对三星12层HBM3E的疑虑。
当前全球HBM内存市场正处于供不应求的状态。据供应链消息，SK海力士供应给英伟达的12层HBM3E价格比8层版本高出约60%。如果三星成功打入英伟达供应链，将极大增强英伟达在价格谈判中的话语权。
SK海力士供应NVIDIA的12层HBM3E比8层版本贵约60%，从NVIDIA的角度来看，若三星HBM质量通过验证，下单几乎是必然的，因为这将促使供应商相互竞价。
更值得关注的是，这场供应争夺战已经影响到下一代AI芯片的研发进程。据悉，英伟达已多次推迟采用HBM4内存的时间表，该技术原计划用于明年底推出的”Vera Rubin”系列AI芯片。业内人士认为，英伟达正在等待三星7-8月送样的HBM4产品，届时将做出最终决策。
SK海力士已于今年3月提交HBM4样本，美光也于6月送样，而三星的送样时间预计是7月或8月，NVIDIA会等三星样本送达后再做出决定。
这场半导体巨头间的博弈仍在继续。随着AI算力需求爆发式增长，谁能掌控高端存储芯片供应链，谁就能在万亿美元规模的AI市场中占据先机。三星能否凭借技术突破撼动SK海力士的领先地位？英伟达又将如何平衡供应链关系？让我们持续关注这场没有硝烟的科技战争。
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