英特尔重磅宣布：光刻技术重要性将大幅降低 芯片制造迎来革命性变革在全球半导体行业疯狂追逐1纳米光刻技术的当下，芯片巨头英特尔在2025年技术大会上投下一枚震撼弹。该公司明确表示，光刻步骤在芯片制造中的占比将从28纳米时代的60%骤降至2纳米及更先进工艺的30%以下。这一宣言可能彻底改变全球芯片制造的竞争格局。
光刻，将不再那么重要。
当全世界还在争抢1nm光刻机时，英特尔却抛出一枚重磅炸弹。
长期以来，光刻机被视为半导体行业的”皇冠明珠”，特别是ASML垄断的高端EUV光刻机，单台售价高达10亿元仍供不应求。但英特尔正通过多种创新技术颠覆这一局面。
其标准版EUV（极紫外）光刻机单价高达10亿元，仍然一台难求。更别说ASML的High-NA EUV光刻机了，截至2025年上半年全球出货量也就5台左右。
其中，3D先进封装技术成为最受瞩目的突破口。与传统光刻在平面上绘制电路不同，3D封装通过垂直堆叠实现晶体管数量的指数级增长。英特尔的Meteor Lake 2代芯片就是这一技术的成功范例。
传统光刻致力于在平面上画更细、更密的线，来容纳更多晶体管；而3D封装则可以通过三维堆叠在空间上增加晶体管数量。
这一技术变革对中国半导体产业意义重大。在全球光刻机供应受限的背景下，先进封装为中国企业提供了弯道超车的机会。中国封装巨头长电科技正加速布局，展现出强劲的发展势头。
而在光刻机供不应求的背景下，先进封装对于我国来说，显然更加重要。
长电科技通过持续的研发投入和产能扩张，正在缩小与国际龙头的差距。2024年公司研发费用达17.18亿元，2025年资本开支预计将达到85亿元。其XDFOI多维扇出封装技术平台已进入量产阶段，100亿元的晶圆级微系统集成项目也即将投产。
2021年，长电科技推出了XDFOI多维扇出封装技术平台。该平台是一种面向 Chiplet的极高密度、多扇出型封装高密度异构集成解决方案，涵盖2D、2.5D、3D等先进封装技术。
在业务布局方面，长电科技通过收购晟碟半导体强化存储封测能力，同时在上海临港建设汽车电子工厂，预计2025年下半年投产。这些举措已初见成效，2025年一季度公司营收同比增长36.44%，远超日月光和安靠等国际竞争对手。
2025年一季度，长电科技实现营收93.35亿元，同比增长36.44%；实现净利润2.03亿元，同比增长50.39%。
行业专家指出，随着先进封装技术的快速发展，全球芯片制造格局可能迎来重大变革。这不仅将降低对光刻设备的依赖，也为中国半导体产业提供了新的发展机遇。未来，通过先进封装技术的突破，或许能部分解决高端光刻机国产化率低的难题。
未来，随着先进封装工艺进一步开发，或许能从另一个角度解决高端光刻机国产化率低的问题。
这一技术路线的转变，标志着半导体产业正在进入一个全新的发展阶段。在全球芯片竞赛中，谁能率先掌握先进封装技术的制高点，谁就可能赢得未来的主动权。
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