【编者按】在人工智能浪潮席卷全球的今天，存储技术正成为决定AI算力高度的关键基石。三星电子在NVIDIA GTC大会上的重磅亮相，不仅展示了其第七代HBM4E芯片的突破性性能，更揭示了未来AI基础设施的全新图景——从数据中心到边缘设备，高速内存正悄然重塑计算形态。这场存储技术的军备竞赛背后，是巨头们对万亿参数大模型时代内存带宽瓶颈的集体突围。当HBM4E实现每秒4TB的恐怖传输速度，当混合铜键合技术突破16层堆叠极限，我们看到的不仅是技术的迭代，更是智能时代底层逻辑的进化。以下是现场深度解析：
科技巨头为英伟达未来平台展示下一代AI内存技术
在英伟达GPU技术大会（业界通称GTC）上，三星电子重磅揭幕第七代HBM4E芯片，这场高调亮相彰显了其强化AI内存市场领导地位的野心。
本周一，三星宣布参与在加州圣何塞举行的GTC 2026大会（会期周一至周四），现场不仅展示了HBM4E技术，更带来一系列专为英伟达平台打造的存储解决方案。
会场中，三星特别设置名为“HBM4英雄墙”的展区，聚光灯直击其最新高带宽内存技术。公司首次公开展示了HBM4E实体芯片与核心晶圆。
HBM4E基于三星1c DRAM工艺与4纳米代工基片设计研发，该设计充分体现了三星集存储器、逻辑芯片、代工与先进封装于一体的IDM制造商优势。
这款芯片预计支持每秒16Gb的针脚传输速率，内存带宽最高可达每秒4TB，性能表现堪称恐怖。
三星同时推出混合铜键合技术——这种新一代封装方案能显著提升散热效率与堆叠能力。
相比传统热压键合方案，该技术可降低超过20%的热阻，并实现16层及以上内存堆叠，突破物理极限。
针对英伟达全新Vera Rubin平台，三星也定制了专属内存解决方案。
在特设的“英伟达画廊”展区，三星陈列了用于Rubin GPU的HBM4、适配Vera CPU的SOCAMM2内存模块，以及基于PCIe Gen6的服务器固态硬盘PM1763，这些组件共同构成了Vera Rubin系统架构的核心拼图。
SOCAMM2作为基于LPDDR的服务器内存模块，近期已完成质量验证并启动商用发货。
三星还演示了搭载PCIe Gen6 PM1763固态硬盘的服务器，该设备将成为Vera Rubin平台的主存储装置。演示中流畅运行了英伟达SCADA工作负载，实力抢眼。
除英伟达专题展区外，三星展台更围绕三大主题布局——数据中心基础设施的AI工厂、终端设备计算的本地AI、实体AI系统，同步首秀GDDR7、LPDDR6及PM9E1固态硬盘等下一代存储产品。
大会议程次日，三星AI中心负责人宋永浩将出席英伟达专题研讨会，届时将全面阐述这家科技巨头关于支撑下一代AI系统的内存技术战略蓝图。
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