国产存储芯片重大突破！紫光国芯发布全新PSRAM系列产品【IT之家特别报道】中国半导体产业再传捷报！7月1日，国内领先的芯片企业紫光国芯正式发布自主研发的PSRAM（伪静态随机存储器）芯片系列产品，标志着我国在高端存储芯片领域取得重要进展。
IT之家 7 月 1 日消息，紫光国芯今日官宣，其自主研发的 PSRAM（IT之家注：伪静态随机存储器）芯片系列产品正式发布。
据悉，此次发布的PSRAM产品系列覆盖32Mb、64Mb和128Mb三种容量规格，采用业界领先的BGA24L超薄封装技术。更令人振奋的是，该系列芯片最高支持1066Mbps的超高速度，可实现17.06Gb/s的惊人带宽性能，完全满足物联网、智能穿戴等新兴领域对存储芯片的严苛要求。
此次上新的 PSRAM 产品兼容业界主流接口协议 Xccela，容量覆盖 32Mb、64Mb 和 128Mb，采用 BGA24L 超薄封装，同时也支持 KGD 产品形式。该系列产品可为物联网设备、穿戴电子产品和端侧 AI 产品打造存储解决方案。
紫光国芯技术负责人表示：”我们特别针对物联网终端设备的续航痛点，在芯片设计中加入了Half Sleep等低功耗技术。主力产品支持1.8v低压供电，即将推出的256Mb新品更将支持1.2v DVFS0.6v超低功耗模式，这将大幅延长智能设备的续航时间。”
为满足物联网终端设备对长续航的需求，紫光国芯 PSRAM 系列产品支持包括 Half Sleep 的低功耗设计，主力产品支持常规 1.8v 低压供电，即将上市的 256Mb PSRAM 新品可支持 1.8v&1.2v 双压和 1.2v DVFS0.6v 两种超低功耗模式。
值得注意的是，该系列产品还具备在线动态可配置X8、X16模式的独特优势，能够灵活适配不同应用场景的需求。同时，基于工规级宽温域设计，确保在各种复杂环境下都能稳定运行。
紫光国芯 PSRAM 产品在进一步实现芯片尺寸紧凑的同时，将产品速度提升至 1066Mbps，可实现最高 17.06Gb/s 的带宽性能；还可支持在线动态可配置 X8、X16 模式，以适配不同应用的需求。
业内专家指出，紫光国芯此次发布的PSRAM系列产品，不仅在性能指标上达到国际先进水平，更在功耗控制和适应性方面展现出独特优势。这将有力推动我国物联网、智能穿戴和边缘AI等新兴产业的发展，降低相关企业对进口存储芯片的依赖。
此外，基于工规级宽温域的设计，该系列产品可适应物联网、智能穿戴等各类复杂应用场景的多样化需求。
目前，紫光国芯已开始接受32Mb、64Mb和128Mb产品的批量订单，256Mb新品预计将于今年第四季度上市。业内人士普遍认为，随着国产存储芯片技术的持续突破，中国半导体产业将迎来新的发展机遇。
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