SK海力士HBM3E与HBM4技术持续领先,引领存储芯片超级周期新浪潮
2026-04-06 08:27

SK海力士HBM3E与HBM4技术持续领先,引领存储芯片超级周期新浪潮

  

  【编者按】在人工智能浪潮席卷全球的今天,高带宽内存(HBM)已成为驱动技术革命的核心引擎。随着AI训练与推理需求的爆炸式增长,一场由HBM引领的“内存超级周期”正悄然开启,其市场规模预计将在2026年突破千亿美元大关。在这场没有硝烟的科技竞赛中,行业巨头SK海力士凭借其技术领先优势,持续领跑市场,并瞄准下一代HBM4,誓言巩固其王者地位。本文将深入解析HBM市场的未来格局、增长动力以及SK海力士的制胜战略,带您一窥决定AI时代胜负的关键内存战场。

  SK海力士强调,将继续保持在引领内存超级周期(异常繁荣期)的高带宽内存(HBM)市场中的领导地位。

  根据SK海力士新闻室5日消息,今年内存半导体市场规模预计将超过4400亿美元。

  美国银行将2026年定义为“类似于1990年代繁荣期的超级周期”。该行预测,全球DRAM销售额将比前一年激增51%,NAND销售额将增长45%。DRAM平均销售价格预计将上涨33%,而NAND平均销售价格将上涨26%。

  随着用于人工智能训练和推理的服务器投资扩大,预计2026年HBM市场规模将达到546亿美元,较前一年的346亿美元增长58%。

  基于市场分析预测HBM3E(第五代)将在2026年成为HBM市场的旗舰产品,SK海力士强调,将通过HBM4(第六代)保持其领导地位。

  SK海力士解释说:“包括英伟达新型AI加速器‘Blackwell Ultra’系列、谷歌和AWS在内的全球大型科技公司,正在扩大基于定制半导体(ASIC)的AI芯片开发,并已选择HBM3E作为最优解决方案。根据主要研究机构和证券分析,预计HBM3E在2026年将占据HBM总出货量的大约三分之二。”

  根据Counterpoint Research的数据,SK海力士在整个HBM市场(基于销售额)中,在2025年第二季度占据了64%的市场份额,第三季度占据了57%。

  高盛分析称:“预计SK海力士至少在2026年之前,都将在HBM3(第四代)和HBM3E领域保持主导地位,持续占据整个HBM市场份额的50%以上。”

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