韩国芯片制造商SK海力士周一表示，已开始量产业界首款基于四层单元（QLC）的321层NAND闪存芯片，该产品专为满足人工智能领域的高性能需求而设计。
公司表示："我们通过全球首次实现300层以上QLC技术NAND的量产，再次突破了技术极限"，并补充说明该产品标志着NAND达到了最高密度。
SK海力士表示计划瞄准AI数据中心市场，该产品在通过全球客户验证后，预计将于明年上半年正式发布。
NAND闪存是一种非易失性存储器，可在断电状态下保存数据。其分类依据单个存储单元可存储的信息位数：单层单元存储1比特数据，多层单元存储2比特，三层单元存储3比特，四层单元存储4比特，五层单元存储5比特。每个单元存储的位数越多，相同面积可容纳的数据量就越大。
新型芯片将存储容量较前代产品翻倍至2太比特，最大限度提升了成本竞争力。高容量NAND通常面临数据处理速度变慢的挑战，但SK海力士通过将芯片内部独立运行单元——平面（plane）的数量从四个扩展到六个，实现了更多并行操作。
因此，最新产品的数据传输速度较先前QLC产品提升一倍，写入和读取性能分别提高56%和18%。数据写入的能效也提升23%，使其特别适合对低能耗要求严苛的AI数据中心。
SK海力士计划首先将321层NAND应用于PC固态硬盘，随后逐步扩展至数据中心和智能手机产品。公司还计划采用专有封装技术实现32个NAND芯片一次性堆叠，使集成密度翻倍，以瞄准AI服务器所需的超大容量企业级固态硬盘。
SK海力士NAND开发负责人郑宇表表示："随着量产启动，我们显著增强了高容量产品组合并确保了成本竞争力。"
"我们将顺应AI需求的爆发式增长和数据中心市场的高性能要求，实现作为全栈AI内存供应商的重大飞跃。"
